元器件采购网 > A-1769页 > RF 晶体管 (BJT)AT-41435G

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AT-41435G

4-SMD(35 micro-X) Avago Technologies US Inc. 172
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AT-41435G参数
产品类别:分离式半导体产品-RF 晶体管 (BJT)
说明:TRANS NPN BIPO 12V 60MA 35-SMD
包装数量:100
包装形式:散装
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晶体管类型:NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大):12V
频率 - 转换:8GHz
噪声系数(dB典型值@频率):1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz
增益:10dB ~ 18.5dB
功率 - 最大:500mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):30 @ 10mA,8V
电流 - 集电极 (Ic)(最大):60mA
安装类型:表面贴装

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